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电子元器件详细资料 » IC[19977] » HCT802TX
型号:HCT802TX类别:FET - 阵列制造商:TT Electronics/Optek Technology
封装:6-SMD,无引线描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
系列-
制造商TT Electronics/Optek Technology
FET型N 和 P 沟道
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)90V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2A,1.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs-
输入电容(Ciss)0a0Vds70pF @ 25V
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-SMD,无引线
供应商设备封装6-SMD
包装散装

供应商

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